Главная
Регистрация
Журналистам
Статистика
Партнерки
VIP
ПОИСК

Реклама:

TOP

Баннерная сеть

Оформление:


Авторизация




Интересное

Друзья сайта
Эротический видео-чат «Видео-девочка.тв»


Начинающему электронику - практика

  • Опуликовал:
  • |
  • Коментариев: 0
  • |
  • Просмотров: 0

Твердотельные перестраиваемые лазеры

Перестройка частоты (длины волны) излучения лазера может быть осуществлена в пределах контура спектральной линии люминесценции. Даже в лазерах на стекле с неодимом он не превышает нескольких ангстрем. Для создания перестраиваемых лазеров надо использовать активные материалы с широкими интенсивными полосами люминесценции.

Такая люминесценция возникает от центров, эффективно взаимодействующих с колебаниями решетки и обладающих энергетическими уровнями, уширенными кристаллическим полем матрицы. Очевидно, редкоземельные элементы с хорошо экранированной оболочкой для этой цели не подходят. Один из путей создания твердотельных перестраиваемых лазеров использование в качестве активаторов ионов с незаполненными 3d- и 4 -оболочками. В качестве примера такого лазера может служить лазер на александрите.

Примером таких центров могут служить так называемые центры окраски в ионных кристаллах, например, в щелочи о-галоидных кристаллах типа NaCl, L F и т. п. Эти центры образуются на базе собственных точечных дефектов кристалла. Разнообразные комплексы, образованные такими дефектами, способны создавать широкие полосы поглощения, придавая различную окраску бесцветным бездефектным кристаллам.

Обширный класс таких комплексов принято называть общим термином F-центры. Простейший дефект решетки (собственно центр) представляет собой анионную вакансию - отсутствие отрицательного иона в соответствующем узле кристаллической решетки. В ионных кристаллах такая вакансия действует как эффективный положительный заряд. Поэтому свободный электрон захватывается анионной вакансией так образуется простейший центр окраски.

Его можно рассматривать как глубокий центр с радиусом локализации порядка межатомного расстояния. Элементарные образования типа вакансия электрон в ионных кристаллах обладают склонностью образовывать комплексы в виде парных центров и центров окраски более высокого порядка. Получение центров нужного типа производится путем довольно сложной фотохимической и термической обработки. К сожалению, многие из таких центров характеризуются низкой термической и оптической стабильностью.

Поэтому хранить такие кристаллы и работать с ними бывает необходимо при температуре жидкого азота (77° К). Как и прочие глубокие центры, .F-центры сильно взаимодействуют с колебаниями решетки. Их спектры поглощения и люминесценции заметно уширены и между ними наблюдается большой стоксов сдвиг. Здесь показаны основное и первое возбужденное состояния центра, в которые осуществляется переход под действием излучения накачки. Для центра это переход между состояниями водородоподобного атома.

Однако собственно центры являются оптимальными для создания лазеров, поскольку для них наблюдаются существенные потери (мал квантовый выход), а сами центры нестабильны. Лучшие результаты получаются на F2t F2, F и некоторых других центрах окраски. Основное достоинство лазеров на центрах окраски возможность непрерывной перестройки частоты. Грубая перестройка частоты (длины волны) излучения осуществляется с помощью дисперсионной оптической системы, состоящей из призмы или решетки, аналогично жидкостным лазерам.
Читать далее

Анодные характеристики

Анодные характеристики имеют провал в той части, где анодное напряжение имеет достаточную величину (15-20 V), чтобы электроны, летящие от катода, могли создать вторичную эмиссию анода, но остается меньшим напряжения сетки, так что эти электроны имеют возможность, не возвращаясь к аноду, лететь к электроду" с более высоким потенциалом к сетке.

При этом сеточный ток возрастает настолько же, насколько анодный уменьшается вследствие ухода электронов. Если потенциал сетки становится выше потенциала анода, то вторичная электронная эмиссия из сетки может дать обратный динатронный эффект, т. е. ток сетки может начать снова уменьшаться, а анодный ток возрастать.

Большое количество уходящих от сетки вторичных электронов (если уход отрицательных зарядов превышает приток их из сеточной цепи) может привести к появлению у нее повышенного положительного потенциала, сильно увеличивающего ток анода, вследствие чего лампа может даже выйти из строя из-за расплавления анода. На токораспределение в триоде влияет также наличие в лампе значительных количеств остаточных газов, атомы которых ионизуются летящими от катода электронами. В результате, в лампе появляются дополнительные электроны и положительные ионы в довольно., значительном количестве, что искажает характеристики лампы.

Анодная характеристика при этом становится круто возрастающей, так как действие отрицательного объемного заряда у катода нейтрализуется положительными ионами, попадающими в этот объемный заряд. Отношением величины ионного тока сетки к величине вызывающего его электронного тока анода пользуются иногда для оценки вакуума в лампе. Величина ионного тока определяется числом возникающих в секунду положительных ионов, которое в свою очередь пропорционально числу электронов, вызывающих эту ионизацию, т. е. пропорционально анодному току.

В "лампах с хорошим вакуумом величина G не должна. превышать -Ю-4. Статическими называются характеристики триода, снимаемые при достаточно медленном изменении напряжений на электродах и при практическом отсутствии в цепях электродов лампы каких-либо элементов электрических цепей кроме измерительных приборов.

От схемы для испытания двухэлектродной лампы эта схема отличается только наличием цепи сетки. Для контроля сеточного тока и напряжения включаются вольтметр и чувствительный миллиамперметр или гальванометр. При наложении на сетку отрицательного потенциала (Ug 0) характеристика анодного тока уже не выходит из начала координат, а начинается правее его при некотором определенном значении анодного напряжения. Сеточный ток отсутствует. Картина меняется при положительном потенциале сетки (Ug 0). Во-первых, появляется сеточный ток.

Кривая сеточного тока !g f(Ua) идет тем выше, чем больше положительный потенциал сетки. Причина этого заключается в том, что с повышением анодного напряжения усиливается действие его ускоряющего поля и электроны могут покидать катод даже при сравнительно больших -отрицательных значениях сеточного напряжения. На самом деле оказывается, что экспериментальная характеристика la fi g) всегда начинается несколько левее, чем это должно быть согласно теоретически рассчитанному напряжению сдвига.
Характеристики анода

Теория электропроводности суспензии

Если осложняющим влиянием поверхностной проводимости можно пренебречь, задача расчета электропроводности дисперсной системы эквивалентна задачам о средней теплопроводности,

Диэлектрической проницаемости или магнитной восприимчивости дисперсной системы. Эта аналогия позволяет использовать экспериментальный материал, накопленный при изучении указанных выше подобных явлений, для проверки теоретических формул, в равной степени пригодных для описания всей совокупности явлений.

Применительно к случаю малой объемной доли дисперсной фазы эта задача достаточно строго решена еще Максвеллом, так что при таком ограничении можно сразу же привести формулы для F в случае эллипсоидальной формы частиц. Здесь, однако, будет дан иной вывод, так как он может быть обобщен на случай, осложненный влиянием поверхностной проводимости. Пусть в бесконечно протяженном однородном электролите с электропроводимостью К имеется плоскопараллельный слой монодисперсной суспензии с объемной долей р и пусть электрическое поле Е приложено перпендикулярно этому слою.

Обычно эту формулу записывают для диэлектрического инкремента Ае, причем К должно быть заменено на диэлектрическую проницаемость среды е, a d на дипольный момент, обусловленный диэлектрической поляризацией. В данном случае d это дипольный момент непроводящей частицы в проводящей среде, возникающий при прохождении тока, который создает объемные заряды противоположного знака на противоположных полу поверхностях частицы в слое толщиной, равной дебаевскому радиусу экранирования.

Существеннее для нас распределение знаков зарядов по полусферам создает на левой полусфере нормальную составляющую поля, направленную навстречу приложенному полю и замедляющую в стационарном режиме подвод на поверхность положительных ионов, на правой полусфере возникает поле отрицательного поляризационного заряда, предотвращающее подвод отрицательных ионов.

Теория электропроводности суспензии, осложненной поверхностной проводимостью частиц: Метод расчета электропроводности суспензии, развитый в предыдущем разделе, включает расчет макроскопического поляризационного потенциала и соответственно макроскопического поля в суспензии. Для учета влияния двойного слоя на макроскопическое поле в суспензии и учета этого эффекта в формуле, связывающей электропроводность суспензии с поверхностной проводимостью частиц, необходимо воспользоваться методом, описанным в предыдущем разделе.

При наличии у частиц двойного слоя общие положения этого метода, связывающая макроскопическое поле суспензии с дипольными моментами частиц, и формула, связывающая проводимость суспензии с макроскопическим полем) сохраняются. Учет удельной поверхностной проводимости частицы необходим лишь при выводе формулы для дипольного момента частицы аналога. При этом условии единственная нестрогость вывода формулы состоит в приписывании поверхностному току идентичного фактора F.
Дальше...



Поделитесь ссылкой на эту статью:

html-cсылка на публикацию
BB-cсылка на публикацию
Прямая ссылка на публикацию





Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.